[실용신안등록/특허등록] 보호막 및 그의 제조방법 특허등록] 특허변리사_서북 서산 서천 서초

[실용신안등록/특허등록] 보호막 및 그의 제조방법 특허등록] 특허변리사_서북 서산 서천 서초

발명의 명칭

보호막 및 그의 제조 방법 (PROTECTIVE COAT AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF)

• Int. Cl	H05B 33/04 (2006.01)
  출원번호(일자)	10-2004-0022256 (20040331)
  공개번호(일자)	1020040088375 (20041016)
  공고번호(일자)	(20111213)
  등록번호(일자)	1010922880000 (20111205)
  구분/원출원권리	/
  원출원번호(일자)
  Family 출원번호
  최종처분내용	등록결정(일반)
  심판사항
  등록상태	등록
  국제출원번호(일자)
  국제공개번호(일자)
  심사청구여부 (일자)	Y(2009.03.10)
  심사청구항수	15

• 대표도면

초록

본 발명은, 기판 상부 또는 기판 상에 형성되는 박막 적층체의 상부에 형성되며, Si/0/N의 원자수비가 100/X/Y (130≤X+Y≤180, 10≤X≤135, 5≤Y≤150)인 질화 산화 실리콘으로 이루어지는 보호막의 제조 방법으로서, 타겟 재료로서 질화규소를 이용하고, 스퍼터 가스로서 비활성 가스, 반응성 첨가 가스로서 N2를 이용하여 스퍼터링법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 보호막의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조 방법에 따라 얻어지는 질화 산화 실리콘으로 이루어지는 보호막의 산소 성분은, 기판 또는 박막 적층체 중에, 또는 반응 장치 내에 존재하고 있었던 수분이 분해됨으로써, 보호막 조성에 도입된다.

보호막, 질화 산화 실리콘, 스퍼터링, 박막 적층체, 유기 EL, 배리어성

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청구항(대표)

번호	대표청구항
1	기판 상부 또는 기판상에 형성되는 박막 적층체의 상부에 형성되는 보호막으로서, Si/O/N의 원자수비가 100/X/Y(140≤X+Y≤170, 10≤X≤135, 5≤Y≤150이고, 또한, Y:X가 2:3~4:1이다)인 질화 산화 실리콘으로 이루어진, 보호막.

번호	청구항
1	기판 상부 또는 기판상에 형성되는 박막 적층체의 상부에 형성되는 보호막으로서, Si/O/N의 원자수비가 100/X/Y(140≤X+Y≤170, 10≤X≤135, 5≤Y≤150이고, 또한, Y:X가 2:3~4:1이다)인 질화 산화 실리콘으로 이루어진, 보호막.
2	제1항에 있어서, 상기 보호막의 상부에는, 유기 발광층을 포함하는 다른 박막 적층체가 형성된, 보호막.
3	제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 보호막이, 컬러 필터층을 형성한 기판상에 형성된, 보호막.
4	기판 상부 또는 기판상에 형성되는 박막 적층체의 상부에 형성되는, Si/O/N의 원자수비가 100/X/Y(140≤X+Y≤170, 10≤X≤135, 5≤Y≤150이고, 또한, Y:X가 2:3~4:1이다)인 질화 산화 실리콘으로 이루어지는 보호막의 제조 방법으로서, 타겟 재료로서 질화규소를 이용하고, 스퍼터 가스에 불활성 가스, 반응성 첨가 가스에 N2를 이용하여 스퍼터링법에 의해 상기 보호막을 형성하는, 보호막의 제조 방법.
5	기판 상부 또는 기판상에 형성되는 박막 적층체의 상부에 형성되며, Si/O/N의 원자수비가 100/X/Y(140≤X+Y≤170, 10≤X≤135, 5≤Y≤150이고, 또한, Y:X가 2:3~4:1이다)인 질화 산화 실리콘으로 이루어지는 보호막의 제조 방법으로서, 재료로서 질화규소를 이용하고, 반응성 첨가 가스에 N2를 이용하여, 이온 도금법에 의해 상기 보호막을 형성하는, 보호막의 제조 방법.
6	제4항에 있어서, 얻어지는 질화 산화 실리콘으로 이루어지는 보호막의 산소 성분이, 기판 내지는 박막 적층체 중, 또는 반응 장치 내에 존재하고 있었던 수분이 분해됨으로써, 보호막 조성에 도입된 것인, 보호막의 제조 방법.
7	제4항에 있어서, 상기 질화 산화 실리콘으로 이루어지는 보호막이, 인라인(in-line)형 스퍼터 장치를 이용하고, 인가 전력을 2.50~7.00 W/cm2, 타겟-기판 간 거리를 12cm 이하로 하여 제조하는, 보호막의 제조 방법.
8	제6항에 있어서, 상기 질화 산화 실리콘으로 이루어지는 보호막이, 인라인형 스퍼터 장치를 이용하고, 인가 전력을 W/cm2, 타겟-기판 간 거리를 12cm 이하로 하여 제조하는, 보호막의 제조 방법.
9	제5항에 있어서, 얻어지는 질화 산화 실리콘으로 이루어지는 보호막의 산소 성분이, 기판 내지는 박막 적층체 중, 또는 반응 장치 내에 존재하고 있었던 수분이 분해됨으로써, 보호막 조성에 도입되는 것인, 보호막의 제조 방법.
10	기판 상부 또는 기판상에 형성되는 박막 적층체의 상부에 형성되는 보호막으로서, 상기 보호막이, 기판 상부 또는 기판상에 형성되는 박막 적층체의 상부에 형성되는 Si의 산화막으로 이루어지는 제1 층과, 상기 제1 층의 상부에 형성되는 Si의 질화 산화막 또는 Si의 질화막으로 이루어지는 상기 제1 층보다 두꺼운 제2 층을 적어도 가지는 2층 이상으로 구성된 것이며, 보호막 전체로서 질화 산화 실리콘의 조성을 이루고, 그 조성에 있어서의 Si/O/N의 원자수비가 100/X/Y(130≤X＋Y≤180, 10≤X≤135, 5≤Y≤150)인, 보호막.
11	제10항에 있어서, 상기 제1 층이 섬 형상(島狀) 성장 없이 하부층을 균일하게 덮는 연속층으로서, 두께 1500Å 이하인, 보호막.
12	제10항에 있어서, 상기 보호막의 상부에는, 유기 발광층을 포함하는 다른 박막 적층체가 형성된, 보호막.
13	제10항에 있어서, 상기 보호막이, 컬러 필터층을 형성한 기판상에 형성된, 보호막.
14	제10항에 기재된 보호막의 제조 방법으로서, 조성이 상이한 2층 이상의 보호막을, 진공 프로세스에서, 동일한 제막 원료인 Si3N4를 이용하고, 기재(基材)의 반송 속도를 제어함으로써 형성하고, Si의 산화막으로 이루어지는 제1 층은, 기판 또는 기판상에 형성된 박막 적층체로부터의 배출 가스 성분과 반응시키면서 제막하고, 이어서, Si의 질화 산화막 또는 Si의 질화막으로 이루어지는 제2 층의 형성시에, 얻어진 제1 층을, 기판 또는 기판상에 형성된 박막 적층체로부터의 배출 가스를 방지하는 캡층으로서 작용하게 하는, 보호막의 제조 방법.
15	제14항에 있어서, 얻어지는 보호막의 산소 성분은, 기판 내지는 박막 적층체 중, 또는 반응 장치 내에 존재하고 있었던 수분이 분해됨으로써, 보호막 조성에 도입된 것인, 보호막의 제조 방법.
16	삭제
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출원인

번호	이름	주소	국적
1	다이니폰 인사츠 가부시키가이샤	일본 도쿄도 신쥬쿠쿠 이치가야 가가쵸 *쵸메*반*고	일본

발명자

번호	이름	주소	국적
1	하오토다이사쿠	일본국도쿄도신쥬쿠쿠이치가야가가쵸*쵸메*반*고다이니폰인사츠가부시키가이샤내	일본
2	다나카겐지	일본국도쿄도신쥬쿠쿠이치가야가가쵸*쵸메*반*고다이니폰인사츠가부시키가이샤내	일본

 

우선권 정보 (국가/번호/일자)

국가명	번호	일자
일본(JP)	JP-P-2003-00093774	2003.03.31
일본(JP)	JP-P-2003-00093775	2003.03.31
일본(JP)	JP-P-2003-00197126	2003.07.15

지정국

구분	국가명

선행기술조사문헌

JP08068990 A*        JP09031630 A*        JP2002294436 A*        JP2002322561 A*

(*는 심사관에 의하여 인용된 문헌)

행정처리

번호	접수번호	접수일자	서류명(영문)	최종상태
1	1-1-2004-0134453-53	2004.03.31	특허출원서 (Patent Application)	수리 (Acceptance)
2	1-1-2004-0141503-13	2004.04.06	우선권 증명서류 제출서 (Submission of Priority Certificate)	수리 (Acceptance)
3	1-5-2004-0024671-91	2004.04.14	보정통지서 (Request for Amendment)	발송처리완료 (Dispatched)
4	1-1-2004-0169492-32	2004.04.23	서지사항 보정서 (Amendment to Bibliographic items)	수리 (Acceptance)
5	9-1-2004-9006327-92	2004.08.12	우선권주장증명서류제출서(일본) (Submission of Priority Certificate(Japan))	수리 (Acceptance)
6	9-1-2004-9006328-37	2004.08.12	우선권주장증명서류제출서(일본) (Submission of Priority Certificate(Japan))	수리 (Acceptance)
7	9-1-2004-9008326-93	2004.08.25	우선권주장증명서류제출서(일본) (Submission of Priority Certificate(Japan))	수리 (Acceptance)
8	1-1-2009-0145057-16	2009.03.10	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 ([Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination))	수리 (Acceptance)
9	9-5-2010-0458118-26	2010.10.14	의견제출통지서 (Notification of reason for refusal)	발송처리완료 (Dispatched)
10	1-1-2010-0823420-26	2010.12.14	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 ([Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief))	수리 (Acceptance)
11	1-1-2011-0033713-70	2011.01.14	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 ([Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief))	수리 (Acceptance)
12	1-1-2011-0103434-12	2011.02.14	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 ([Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief))	수리 (Acceptance)
13	1-1-2011-0183584-05	2011.03.14	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 ([Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief))	수리 (Acceptance)
14	1-5-2011-0022438-54	2011.03.15	지정기간연장관련안내서	발송처리완료 (Dispatched)
15	1-1-2011-0273340-16	2011.04.14	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 ([Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation))	수리 (Acceptance)
16	1-1-2011-0273341-51	2011.04.14	[명세서등 보정]보정서 ([Amendment to Description, etc.] Amendment)	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)
17	9-5-2011-0636062-23	2011.10.31	등록결정서 (Decision to grant)	발송처리완료 (Dispatched)

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